OFweek電子工程網(wǎng)訊 化合物半導體是區(qū)別于硅（Si）和鍺（Ge）等傳統(tǒng)單質(zhì)的一類半導體材料，主要包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）等。相對于硅材料，化合物半導體性能更加優(yōu)異，制作出的器件相對于硅器件具有更優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征。

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當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點，我國應加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動權(quán)。

集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革驅(qū)動化合物半導體市場發(fā)展。一是集成電路產(chǎn)業(yè)遵循“摩爾定律”演進趨緩，以新材料、新結(jié)構(gòu)以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。二是曾經(jīng)驅(qū)動集成電路市場高速增長的PC和智能手機市場疲軟，未來5G和物聯(lián)網(wǎng)將成為新風口。三是全球能源和環(huán)境危機突出，能源利用趨向低功耗和精細管理。化合物半導體作為新材料和新器件，在微波通信器件、光電子器件和功率器件中有著同類硅器件所不具備的優(yōu)異性能，將在以上應用領(lǐng)域得到廣泛應用。

國內(nèi)外圍繞化合物半導體的并購案頻發(fā)。近年來，國際巨頭企業(yè)紛紛圍繞化合物半導體展開并購，功率半導體領(lǐng)導者德國英飛凌公司以30億美元收購美國國際整流器公司（IR），取得了其硅基GaN功率半導體制造技術(shù);同年9月，設(shè)計和制造GaAs和GaN射頻芯片的RFMD公司和TriQuint公司宣布合并為新的RF解決方案公司Qorvo。國內(nèi)企業(yè)和資本也圍繞化合物半導體產(chǎn)業(yè)展開收購。

國家“大基金”投資三安光電布局化合物半導體。國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（“大基金”）投資48.39億元入股三安光電，推動三安光電下屬三安集成電路公司圍繞GaAs和GaN代工制造，開展境內(nèi)外并購、新技術(shù)研發(fā)、新建生產(chǎn)線等業(yè)務。同時，國家開發(fā)銀行也以最優(yōu)惠利率向三安提供200億元貸款。